貼片電容介質(zhì)是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變化，主要應(yīng)用于 高頻電子線路，如振蕩、計(jì)時(shí)電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時(shí)，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

   不同品種的電容，最高使用頻率不同。小型云母電容在250MHZ以內(nèi);圓片型瓷介電容為300MHZ;圓管型瓷介電容為200MHZ;圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容為80MHZ;中型紙介電容只有8MHZ。

   以Y5V為III類介質(zhì)的低頻電容，其溫度系數(shù)為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時(shí)間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產(chǎn)品。

   任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降,而且和絕緣電阻一樣,介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān).由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大,因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度.類似地,介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸.基於以上考慮,進(jìn)行片式電容留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試(一般為其工作電壓的2.5倍)時(shí),不發(fā)生擊穿失效。

   貼片電容介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí),材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射,產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng),進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì),使其失效.除此之外,介質(zhì)失效還有另一種模式,高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間,將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流.這種模式與溫度密切相關(guān),介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降.

   正確選擇一顆貼片電容時(shí)，除了要提供其規(guī)格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對(duì)這顆片式電容的溫度系數(shù)、額定電壓等參數(shù)的要求。貼片電容標(biāo)準(zhǔn)命名方法及定義：貼片電容的命名，國(guó)內(nèi)和國(guó)外的產(chǎn)家有一此區(qū)別但所包含的參數(shù)是一樣的。