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表面型半導(dǎo)體陶瓷電容與晶界層陶瓷電容

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2023-03-22 11:01:00

 

在陶瓷材料中,鐵電陶瓷具有高介電常數(shù),通常用于制備陶瓷電容器常見(jiàn)的鐵電陶瓷多屬于鈣鈦礦結(jié)構(gòu),如鈦酸鋇陶瓷及其固溶體,也有鎢青銅型、含鉍層狀化合物和燒綠石型結(jié)構(gòu)。但是,用鐵電陶瓷制作普通鐵電陶瓷電容器時(shí),很難把陶瓷介質(zhì)做得很薄。首先,鐵電陶瓷薄時(shí)容易破碎,難以進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作其次,當(dāng)陶瓷介質(zhì)較薄時(shí),容易造成各種結(jié)構(gòu)缺陷,使得制作工藝非常困難。

 

表面型半導(dǎo)體陶瓷電容器是指將瓷磚坯體半導(dǎo)化,將其表面再氧化形成薄介質(zhì)層,然后在瓷磚兩面燒電極而形成的電容器。通常,在半導(dǎo)體陶瓷例如BaTiO3的表面上形成的薄絕緣層被用作電介質(zhì)層,并且半導(dǎo)體陶瓷本身可以被視為電介質(zhì)的串聯(lián)電路。表層陶瓷電容器的絕緣表層厚度根據(jù)不同的形成方法從0波動(dòng).01~100 μm。這既利用了鐵電陶瓷的高介電常數(shù),又有效地減小了介質(zhì)層的厚度,是制備微型陶瓷電容器的有效方案。

 

晶界層型半導(dǎo)體陶瓷電容器通過(guò)沿半導(dǎo)體陶瓷體的晶界形成絕緣層,然后燒結(jié)陶瓷芯片兩側(cè)的電極,從而形成多個(gè)串來(lái)形成、并聯(lián)的電容器網(wǎng)。

 

通常情況下,晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面會(huì)包覆一層適當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮ɡ鏑uO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后,涂層氧化物將與BaTiO3 3形成低共溶相,它將沿著開(kāi)放的孔隙和晶界迅速擴(kuò)散和滲透到陶瓷中,并在晶界上形成薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層具有高電阻率(高達(dá)1012 ~ 1013ω·cm)雖然陶瓷的顆粒仍然是半導(dǎo)體,但整個(gè)陶瓷體表現(xiàn)為具有高表觀介電常數(shù)的絕緣體介質(zhì)。由這種陶瓷制成的電容器稱(chēng)為晶界層陶瓷電容器(Boundary glass ceramic capacitor)簡(jiǎn)稱(chēng)BL電容。

 

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