瓷片電容的識(shí)別方法
本文主要介紹了瓷介電容的識(shí)別方法,本文字?jǐn)?shù)685字,閱讀全文需7分鐘。
瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
優(yōu)點(diǎn):穩(wěn)定,絕緣性好,耐高壓,缺點(diǎn):容量比較小。
瓷片電容的識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,常用單位還有:微法 (μF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1μF=1000nF,1nF=1000pF。容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10μF/16V,容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示。
字母表示法:1μF=1000nF,1P2=1.2pF ,1nF=1000pF 。
數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字,第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù),它們的單位都是pF。
如:101表示標(biāo)稱容量為100pF。(前兩位數(shù)字為有效數(shù)字,第三位數(shù)字是零的個(gè)數(shù)。)
222表示標(biāo)稱容量為2200pF(2.2nF)。225表示標(biāo)稱容量為2200nF(2.2μF)
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況,就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時(shí),是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。
如:229表示標(biāo)稱容量為22x(10-1)pF=2.2pF。
常見誤差±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。
例如:一瓷片電容為105J表示容量為1μF、誤差為±5%。
文章來源:深圳新晨陽電子
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