瓷介電容器的種類
本文主要介紹了瓷介電容器的分類,本文字?jǐn)?shù)700字,閱讀全文需7分鐘。
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合,這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
圓片式瓷介電容器的包封形式通常按電壓區(qū)分,500VDC以下的低壓產(chǎn)品CC1、CT1系列均采用酚醛樹(shù)脂包封,該樹(shù)脂絕緣強(qiáng)度和耐濕性較差,但成本較低。為改善耐濕性,此類包封外層均浸用一層薄蠟。1KVDC以下和交流電容系列,均采用絕緣強(qiáng)度和耐濕特性優(yōu)良的阻燃環(huán)氧樹(shù)脂包封。
除圓片式瓷介電容器外,使用的有軸向引線色環(huán)陶瓷電容和貼片式陶瓷電容,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)為疊層方式,因而體積很小,但容量可以達(dá)到1μF以上,非常利于裝配,但由于其結(jié)構(gòu)限制,絕緣電阻和耐壓無(wú)法做得很高,因而目前只限于低壓(50V以內(nèi))產(chǎn)品,其損耗和溫度特性與圓片電容相同。
陶瓷電容器雖有很多優(yōu)點(diǎn),但因陶瓷材料本身機(jī)械強(qiáng)度低、易破碎這一缺點(diǎn),使其圓片的幾何尺寸受到限制,這也是不同溫度特性有不同容量范圍的主要原因。通常標(biāo)準(zhǔn)上對(duì)低壓圓片電容的允許直徑D≤12mm,高壓電容的圓片允許直徑D≤16mm。如超過(guò)這一尺寸,生產(chǎn)加工難度和廢品率就會(huì)有很大增加,并且在瓷片本體上產(chǎn)生的微小裂紋都將對(duì)電容器的可靠性產(chǎn)生很大隱患。因不同廠家在材料研制和工藝制造方面的水平不同,其外形尺寸標(biāo)準(zhǔn)也有差異,故其容量標(biāo)稱范圍也有部分區(qū)別。
文章來(lái)源:深圳新晨陽(yáng)電子
推薦產(chǎn)品
- 微波片容
高Q值、低等效串聯(lián)電阻、高自諧振頻率,適用于移動(dòng)通信基站、無(wú)線通信產(chǎn)品、射頻功率放大器等產(chǎn)品
- 通用型厚膜電阻
常規(guī)厚膜片式固定電阻器擁有體積小、重量輕的特點(diǎn),不僅電性能穩(wěn)定,可靠性高,且裝備成本低,與自動(dòng)貼裝設(shè)備匹配,產(chǎn)品全面符合ROHS指令及無(wú)鹵素要求。
- 肖特基二極管
0603 0805 1206特征:由于SBD的反向勢(shì)壘較薄,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管大。應(yīng)用:SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流。
- 厚膜片式高壓電阻器
厚膜片式高壓電阻最高電壓可達(dá)3000V,電性能穩(wěn)定,可靠性高,機(jī)械強(qiáng)度高、高頻特性優(yōu)越。產(chǎn)品全面符合ROHS指令及無(wú)鹵素要求 應(yīng)用:電視、汽車電子板塊,自動(dòng)化設(shè)備控制器,醫(yī)療儀器等。
- 數(shù)字三極管
0603 0805 1206特征:將一只或兩只電阻器與晶體管連接后封裝在一起構(gòu)成,通常作為一個(gè)中速開(kāi)關(guān)管,在電路中可看作一個(gè)電子開(kāi)關(guān),但其飽和導(dǎo)通時(shí),管壓降很小。應(yīng)用:廣泛應(yīng)用電視機(jī)、影碟機(jī)、錄像機(jī)、DVD及顯示器等家電產(chǎn)品中。
- CT81高溫高介電質(zhì)圓片瓷介電容器
CC1 、 CC81 、CT1、 CT81、 CS1 、CT7。特性:損耗低、容量穩(wěn)定性高,電容量變化與溫度呈線性關(guān)系,多種溫度系數(shù)。應(yīng)用:諧振回路及溫度補(bǔ)償效應(yīng)的電路。
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