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首頁電子器件常見問題 電容失效之二扭曲破裂失效的兩種情況

電容失效之二扭曲破裂失效的兩種情況

2021年03月16日15:31 

  扭曲破裂失效

  此種不良的可能性很多:按大類及表現(xiàn)可以分為兩種:

  第一種情況、SMT階段導致的破裂失效

  當進行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時,取放的定中爪因為磨損、對位不準確,傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力,會造成很大的壓力或切斷率,繼而形成破裂點。

  這些破裂現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫,或2至3個電極間的內部破裂;表面破裂一般會沿著最強的壓力線及陶瓷位移的方向。

  真空檢拾頭導致的損壞或破裂﹐一般會在芯片的表面形成一個圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合。

電容

  另一個由吸頭所造成的損環(huán)﹐因拉力而造成的破裂﹐裂縫會由組件中央的一邊伸展到另一邊﹐這些裂縫可能會蔓延至組件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能會令電容器的底部破損。

  第二種、SMT之后生產(chǎn)階段導致的破裂失效

  電路板切割﹑測試﹑背面組件和連接器安裝﹑及最后組裝時,若焊錫組件受到扭曲或在焊錫過程后把電路板拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’這類的損壞。

  在機械力作用下板材彎曲變形時,陶瓷的活動范圍受端位及焊點限制,破裂就會在陶瓷的端接界面處形成,這種破裂會從形成的位置開始,從45°角向端接蔓延開來。

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