瓷電容器和獨(dú)石電容器是使用頻率較高的電容器，在發(fā)展過(guò)程之中受到了大家的關(guān)注和青睞。這兩個(gè)電容從不同的角度看是不一樣的。接下來(lái)，編輯將分析兩者的區(qū)別?？梢愿鶕?jù)優(yōu)點(diǎn)選擇合適的電容器。陶瓷片電容器是由薄膜銀在薄陶瓷片的兩邊。MLCC的容量很大，但電壓不高。單片電容器完全是MLCC的變體，其中兩根導(dǎo)線(xiàn)焊接到MLCC并用環(huán)氧樹(shù)脂封裝。瓷具有電容小、溫度系數(shù)范圍寬、介質(zhì)損耗低、泄漏小、耐潮濕等特點(diǎn)。
瓷電容器和獨(dú)石電容器是使用頻率較高的電容器，在發(fā)展過(guò)程之中受到了大家的關(guān)注和青睞。這兩個(gè)電容從不同的角度看是不一樣的。接下來(lái)，編輯將分析兩者的區(qū)別?？梢愿鶕?jù)優(yōu)點(diǎn)選擇合適的電容器。
陶瓷片電容器是由薄膜銀在薄陶瓷片的兩邊。它的優(yōu)點(diǎn)是體積小，耐高壓，價(jià)格低，而且頻率高（一個(gè)是高頻電容）。相對(duì)來(lái)說(shuō)，有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)，而陶瓷片式電容的缺點(diǎn)就是易碎。容量較低。常用于高頻振蕩、諧振、去耦和音頻。
陶瓷片式電容器是由陶瓷粉末成型，然后燒結(jié)而成。（陶瓷分為兩部分。Ⅰ類(lèi)瓷、Ⅱ類(lèi)瓷、Ⅲ類(lèi)瓷）獨(dú)石瓷的單層結(jié)構(gòu)，一般一個(gè)紐扣大小有兩個(gè)引腳。由于采用單層結(jié)構(gòu)，陶瓷片式電容器一般容量小，但電壓高。多層結(jié)構(gòu)的MLCC電容器通常有幾十層，甚至更多的多層。每一層相當(dāng)于一個(gè)電容，幾十層相當(dāng)于幾十個(gè)電容并聯(lián)。MLCC的容量很大，但電壓不高。一般的表面貼裝封裝。
瓷電容器和獨(dú)石電容器是使用頻率較高的電容器，在發(fā)展過(guò)程之中受到了大家的關(guān)注和青睞。這兩個(gè)電容從不同的角度看是不一樣的。接下來(lái)，編輯將分析兩者的區(qū)別。可以根據(jù)優(yōu)點(diǎn)選擇合適的電容器。陶瓷片電容器是由薄膜銀在薄陶瓷片的兩邊。MLCC的容量很大，但電壓不高。單片電容器完全是MLCC的變體，其中兩根導(dǎo)線(xiàn)焊接到MLCC并用環(huán)氧樹(shù)脂封裝。瓷具有電容小、溫度系數(shù)范圍寬、介質(zhì)損耗低、泄漏小、耐潮濕等特點(diǎn)。
瓷電容器和獨(dú)石電容器是使用頻率較高的電容器，在發(fā)展過(guò)程之中受到了大家的關(guān)注和青睞。這兩個(gè)電容從不同的角度看是不一樣的。接下來(lái)，編輯將分析兩者的區(qū)別?？梢愿鶕?jù)優(yōu)點(diǎn)選擇合適的電容器。
陶瓷片電容器是由薄膜銀在薄陶瓷片的兩邊。它的優(yōu)點(diǎn)是體積小，耐高壓，價(jià)格低，而且頻率高（一個(gè)是高頻電容）。相對(duì)來(lái)說(shuō)，有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)，而陶瓷片式電容的缺點(diǎn)就是易碎。容量較低。常用于高頻振蕩、諧振、去耦和音頻。
陶瓷片式電容器是由陶瓷粉末成型，然后燒結(jié)而成。（陶瓷分為兩部分。Ⅰ類(lèi)瓷、Ⅱ類(lèi)瓷、Ⅲ類(lèi)瓷）獨(dú)石瓷的單層結(jié)構(gòu)，一般一個(gè)紐扣大小有兩個(gè)引腳。由于采用單層結(jié)構(gòu)，陶瓷片式電容器一般容量小，但電壓高。多層結(jié)構(gòu)的MLCC電容器通常有幾十層，甚至更多的多層。每一層相當(dāng)于一個(gè)電容，幾十層相當(dāng)于幾十個(gè)電容并聯(lián)。MLCC的容量很大，但電壓不高。一般的表面貼裝封裝。
單片電容比CBB小，CBB常用于模擬和數(shù)字電路的信號(hào)旁路、濾波和音頻。單片電容器完全是MLCC的變體，其中兩根導(dǎo)線(xiàn)焊接到MLCC并用環(huán)氧樹(shù)脂封裝。瓷具有電容小、溫度系數(shù)范圍寬、介質(zhì)損耗低、泄漏小、耐潮濕等特點(diǎn)。缺點(diǎn)：容量小，機(jī)械強(qiáng)度差。單片電容大，適用于低頻。陶瓷片式電容器適用于高頻?？梢蕴娲?。
