鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn),但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是一個(gè)順電體,沒(méi)有自發(fā)極化。高電壓之下,鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化不大,Tg較低。多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內(nèi)電極材料和陶瓷體交替并聯(lián)而成,整體燒制而成的片式單片電容器。
晶粒邊界層陶瓷電容器。涂布適量金屬氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)。在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面。涂層氧化物在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件之下熱處理之后,與鈦酸鋇形成低共晶相,沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷之中,并在晶界處形成一層薄的固溶體絕緣層。
鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn),但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是一個(gè)順電體,沒(méi)有自發(fā)極化。高電壓之下,鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化不大,Tg較低。多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內(nèi)電極材料和陶瓷體交替并聯(lián)而成,整體燒制而成的片式單片電容器。
晶粒邊界層陶瓷電容器。涂布適量金屬氧化物(如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)。在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面。涂層氧化物在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件之下熱處理之后,與鈦酸鋇形成低共晶相,沿開(kāi)孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷之中,并在晶界處形成一層薄的固溶體絕緣層。
這種薄固溶體絕緣層的電阻率非常高(可達(dá)1012—1013Ω.雖然陶瓷顆粒仍是半導(dǎo)體,但用這種陶瓷制成的整個(gè)陶瓷體的表觀介電常數(shù)高達(dá)2×104~8×這種電容器稱為邊界層陶瓷電容器(BL電容器),而高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種類型:鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn),但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高變化率大、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。
鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250°C。室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是一個(gè)順電體,沒(méi)有自發(fā)極化。高壓之下,鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化不大,Tg較低。多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的片式元件之一。是由多層之內(nèi)電極材料和陶瓷體交替并聯(lián)而成,整體燒制而成的片式單片電容器。有體積小、比電容高、精度高等特點(diǎn)。它可以安裝在印刷電路板(PCB)和混合集成電路(HIC)基板之上,可以有效地減小電子信息終端產(chǎn)品(尤其是便攜式產(chǎn)品)的體積和重量,提高產(chǎn)品的可靠性。順應(yīng)了IT產(chǎn)業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向。