無論是插件技術(shù)還是芯片安裝技術(shù)，電容器本身都與PCB垂直。SMT的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在生產(chǎn)上，自動化程度高，精度高。在運(yùn)輸過程中不像插入式那樣容易損壞。在性能方面，串聯(lián)電容器對頻率的適應(yīng)性較差，但當(dāng)頻率小于500MHz時(shí)，很難顯示出差別，如何在外觀上區(qū)分片式電容器和片式電阻？片式電容器表面沒有印刷，這與它的制造工藝有關(guān)。

無論是插件技術(shù)還是芯片安裝技術(shù)，電容器本身都與PCB垂直。最根本的區(qū)別是芯片安裝設(shè)備的電容器有一個(gè)黑色的橡膠底座。SMT的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在生產(chǎn)上，自動化程度高，精度高。在運(yùn)輸過程中不像插入式那樣容易損壞。然而，芯片放置裝置需要波峰焊工藝，高溫后會影響電容器的性能，特別是陰極采用電解液時(shí)，電解液會在高溫后變干。插件工藝的器件趣味性較低，在同樣的趣味性下電容器本身的性能可以更好
在性能方面，串聯(lián)電容器對頻率的適應(yīng)性較差，但當(dāng)頻率小于500MHz時(shí)，很難顯示出差別，如何在外觀上區(qū)分片式電容器和片式電阻？片式電容器表面沒有印刷，這與它的制造工藝有關(guān)（片式電容器是高溫?zé)Y(jié)而成，因此無法在表面印刷）。片式電阻器采用絲網(wǎng)印刷（可印刷商標(biāo)）。詳細(xì)工藝流程請來電或來函
片式電容器，全稱：多層（疊層、疊層）片式陶瓷電容器，又稱片式電容器，英文縮寫：MLCC，容量范圍：0.5pf100uf，其中，一般認(rèn)為容量超過1uF的是大容量電容器。額定電壓：從4v4kvdc起，當(dāng)額定電壓為100V及以上時(shí)，分為中高壓產(chǎn)品
片式電容器的穩(wěn)定性和容量精度與介質(zhì)數(shù)據(jù)有關(guān)，可分為三類：
以cog/NPO為Ⅰ類介質(zhì)的高頻電容器的溫度系數(shù)為0± 30ppm/℃, 電容非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間變化，主要用于高頻電子電路，如振蕩、定時(shí)電路等；其容量精度主要如下± 5%，當(dāng)容量小于10PF時(shí)，可選擇b檔（± 0.1pfc（± 0.25 PFD（± 5便士。