電容的阻抗與諧振頻率與去耦。電容去耦原理，電容在頻率升高到諧振點(diǎn)之前，隨著頻率升高，阻抗降低，這就給高頻噪聲提供了一個(gè)低阻抗的泄放途徑，剩下的低頻能量就不足以發(fā)射出去了。而且在實(shí)際使用中引線電感及過孔的存在會(huì)進(jìn)一步降低諧振點(diǎn)，這使得再小的電容，實(shí)際的去耦頻率也不會(huì)超過300MhZ。

　　電容的阻抗與諧振頻率與去耦

　　1）常用電容：0.1uF和0.01uF電容是當(dāng)今高速電路中常用的去耦電容。一般來說SMT的電容的自諧振點(diǎn)不會(huì)超過500MhZ，而0.01uF電容的自諧振點(diǎn)在50-150MhZ之間；而且在實(shí)際使用中引線電感及過孔的存在會(huì)進(jìn)一步降低諧振點(diǎn)，這使得再小的電容，實(shí)際的去耦頻率也不會(huì)超過300MhZ。

　　2）電容并聯(lián)：相同容值的電容并聯(lián)，引線電感和寄生電感會(huì)因?yàn)椴⒙?lián)而減小，使得整體阻抗減小，這樣有利于提高去耦頻率，同時(shí)，電容并聯(lián)也能提供更多的能量。

　　3）電容去耦原理：電容在頻率升高到諧振點(diǎn)之前，隨著頻率升高，阻抗降低，這就給高頻噪聲提供了一個(gè)低阻抗的泄放途徑，剩下的低頻能量就不足以發(fā)射出去了。

　　4）去耦電容的選擇：去耦電容不要什么都用0.1uF，要考慮去耦器件的工作頻率和諧波。工作主頻20Mhz以下的，用0.1uF，20Mhz以上的用0.01uF，甚至更小的，并與0.1uF并聯(lián)使用。

　　5）電源層與地層構(gòu)成電容：在多層PCB中，依賴電源層和地層形成的板間電容，有著較低的ESL，這也是高頻去耦的重要手段。