陶瓷電容可分為以下幾種不同的形狀及樣式：

　　碟型，有樹脂涂層，插入式封裝的電容

　　由多層電容組成長方體的表面安裝技術電容

　　沒有針腳的碟型電容，一般會放在電路板的槽中，直接焊接在電路板上，常用在特高頻（UHF）的應用。

　　圓筒型的，目前已不使用。

　　一般售出的陶瓷電容可分為以下三類：

　　Class1陶瓷電容：

　　有溫度補償，電容值準確的電容器。在不同的電壓、溫度下的穩(wěn)定性最佳，且其損失最少。但是其容積效率也最低。典型Class1電容的溫度系數(shù)為30ppm/°C，而且對溫度的線性度很高，Class1陶瓷電容的散逸因數(shù)約為0.15%，因此適用在高品質因子的濾波器中。一般Class1電容的電容誤差約為5%至10%，也可以找到高準確度，誤差只有1%的電容器。最高準確度的Class1電容器標示為C0G或NP0。

　　Class2陶瓷電容

　　其容積效率較Class1電容要好，但其電容準確度及穩(wěn)定性較差。一般的Class2電容在−55°C至85°C的溫度范圍內，電容量誤差值會在15%以內。Class2電容的散逸因數(shù)約為2.5%。

　　Class3陶瓷電容

　　其容積效率更好，但其電容準確度及穩(wěn)定性也更差。一般的Class3電容在10°C至55°C的溫度范圍內，電容量會有-22%至+56%的變化。Class3電容的散熱因數(shù)約為4%。一般Class3電容會用在去耦電容及其他電源供應器的應用中。

　　Class1陶瓷電容，典型Class1電容的溫度系數(shù)為30ppm/°C，而且對溫度的線性度很高，Class1陶瓷電容的散逸因數(shù)約為0.15%，因此適用在高品質因子的濾波器中。最高準確度的Class1電容器標示為C0G或NP0。Class2陶瓷電容。其容積效率較Class1電容要好，但其電容準確度及穩(wěn)定性較差。Class2電容的散逸因數(shù)約為2.5%。Class3陶瓷電容。Class3電容的散熱因數(shù)約為4%。