新晨陽片式電阻精度標(biāo)識(shí)方法
當(dāng)片式電阻阻值精度為±5%時(shí)，采用三個(gè)數(shù)字表示：跨接線記為000;阻值小于10Ω的，在兩個(gè)數(shù)字之間補(bǔ)加“R”;阻值在10Q以上的，則最后一個(gè)數(shù)值表示增加的零的個(gè)數(shù)。
例如：4.7Ω記為4R7;0Ω(跨接線)記為000;100Ω記為101;1MΩ記為105。
新晨陽片式電阻阻值精度為±l%時(shí)，采用四個(gè)數(shù)字表示，前面三個(gè)數(shù)字為有效數(shù)，第四位表示增加的零的個(gè)數(shù);阻值小于10Ω的，仍在第二位補(bǔ)加“R”;阻值為100Ω則在第四位補(bǔ)“0”。例如：4.7Ω記為4R70;100Ω記為1000;1MΩ記為1004;20MΩ記為2005;10Ω記為10R0。
料盤上的標(biāo)注：有關(guān)電阻器的片式電阻型號(hào)，新晨陽片式電容ERJ型、MCR型、 RX型；部分電阻器的型號(hào)用R代表單位為歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)，用m代表單位為毫歐姆的電阻小數(shù)點(diǎn)
新晨陽片式電阻標(biāo)記識(shí)別方法，如元件上的標(biāo)注及料盤上的標(biāo)注。例如1R0 = 1.0Ω， R20 = 0.20Ω， 5R1 = 5.1Ω， R007 = 7.0mΩ， 4m7 = 4.7mΩ有些資料及編帶盤上采用一組數(shù)字及符號(hào)來表示新晨陽片式電阻的綜合性能。
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