鉭電容應(yīng)該怎么保存
對反激式開關(guān)電源而言,每當(dāng)功率MOSFET由導(dǎo)通變成截止時(shí),在開關(guān)電源的一次繞組上就會產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓。而開關(guān)電源能夠正常啟動和工作的最低漏極直流電壓為50V。當(dāng)開關(guān)電源的輸入直流電壓Ui<50V時(shí),芯片就無法提供足夠的偏壓以維持正常工作。其中的尖峰電壓是由于高頻變壓器存在漏感 (即漏磁產(chǎn)生的自感)而形成的,它與直流高壓Ui和感應(yīng)電壓Uor疊加在MOSFET的漏極上,很容易損壞MOSFET。鉭電解電容為此,必須在增加漏極鉗位保護(hù)電路,對尖峰電壓進(jìn)行鉗位或者吸收。
這就是輸入濾波電容器提升直流電壓的作用.其目的是使漏感能量能夠得到恢復(fù),以提高電源效率。玻璃鈍化整流管的反向恢復(fù)時(shí)間介于快恢復(fù)二極管與普通硅整流管之間,我國安全電壓額定值的等級為42.36.24.12V和6V。
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0603 0805 1206 特征:具有電流放大作用,其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。應(yīng)用:通訊設(shè)備、無繩電話、手機(jī)及充電器、衛(wèi)星接收機(jī)。 數(shù)碼相機(jī)、音響系統(tǒng)、電視機(jī)、錄放機(jī)、攝錄機(jī)。
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0603 0805 1206特征:由于SBD的反向勢壘較薄,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結(jié)二極管大。應(yīng)用:SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流。
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