濾波電容容值與所濾噪聲頻率的關(guān)系
濾波電容容值與所濾噪聲頻率的關(guān)系
去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實(shí)中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的。
于是實(shí)際電容的頻響曲線明顯呈非線性。
僅在一定頻率區(qū)間內(nèi)基本符合純電容的理論計(jì)算結(jié)果，超出一定界限后就與理論值越差越遠(yuǎn)。
超到一定程度后甚至電容將不再是電容了，這個頻率稱“自諧振頻率”，同樣材料和制造工藝下，容量越小的電容自諧振頻率越高。
所以去耦電容的選擇除了需大致考慮頻率外，還要考慮負(fù)載的情況，在一定頻率之后還得考慮電容的材料和生產(chǎn)工藝等。
在此基礎(chǔ)上綜合的結(jié)果決定去耦電容的容量和種類。
通常數(shù)字電路的噪聲頻率在兆至百兆量級區(qū)間，這個區(qū)間的噪聲采用陶瓷獨(dú)石介質(zhì)的0.1uF電容就可取得合適的效果。
如果負(fù)載較重或噪聲較強(qiáng)，可選擇更大容量的電容或用多個電容并聯(lián)，同樣容量和電容材料下。
小電容并聯(lián)的效果強(qiáng)于單一大電容，頻率越高越明顯，高頻去耦則需采用大小電容并聯(lián)的方式分別對付不同頻譜的噪聲。
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