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電容器
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關(guān)于瓷片電容電磁兼容設(shè)計的誤區(qū)

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時間:2016-09-01 16:24:00

 

  關(guān)于瓷片電容電磁兼容設(shè)計的誤區(qū)


  瓷片電容電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下,個別問題(電壓跌落與瞬時中斷等)除外。


  高頻思維,總而言之,就是器件的特性、電路的特性,在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的,如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析,則會走入設(shè)計的誤區(qū)。


  瓷片電容在中低頻或直流情況下,就是一個儲能組件,只表現(xiàn)為一個電容的特性,但在高頻情況下,它就不僅僅是個電容了,它有一個理想電容的特性,有漏電流(在高頻等效電路上表現(xiàn)為R),有引線電感,還在導(dǎo)致電壓脈沖波動情況下發(fā)熱的ESR(等效串聯(lián)電阻),瓷片電容能幫我們設(shè)計師得出很多有益的設(shè)計思路。


  第一、按照常規(guī)思路,1/2πfc是電容的容抗,應(yīng)該是頻率越高,容抗越小,濾波效果越好,即越高頻的雜波越容易被泄放掉,但事實并非如此,因為引線電感的存在,一支電容僅僅在其1/2πfc=2πfL等式成立的時候,才是整體阻抗最小的時候,濾波效果才最好,頻率高了低了都會濾波效果下降,由此就可以分析出瓷片電容結(jié)論。

 

新晨陽瓷介電容


  為什么在IC的VCC端都會加兩支電容,一支電解的,一支瓷片的,并且容值一般相差100倍以上多一點(diǎn)。就是兩支不同的電容的諧振頻率點(diǎn)岔開了一段距離,既利于對稍高頻的濾波,也利于對較低頻的濾波。


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