高頻瓷介電容器適用于高穩(wěn)定振蕩回路
高頻瓷介電容器適用于高穩(wěn)定振蕩回路
相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時(shí)相對(duì)介電常數(shù)為10的電解質(zhì),MLCC電容器擁有高相對(duì)介電常數(shù)材料的優(yōu)勢(shì)。在電解質(zhì)的正端,設(shè)置板間隔的氧化鋁厚度小于陶瓷材料,從而帶來更高的電容密度。由于電容器的介質(zhì)材料為陶瓷,所以耐熱性能良好,不容易老化。低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大,因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。高頻陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小,因而在高頻電路可選用高頻瓷介電容器。
高頻瓷介電容器適用于高頻電多層陶瓷電容器多層陶瓷電容器常見小缺陷的規(guī)避方法因其小尺寸。
低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低成本、高可靠性和高紋波電流能力,多層陶瓷(MLCC)電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。
一般而言,它們用在電解質(zhì)電容器中,以增強(qiáng)系統(tǒng)性能。
相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時(shí)相對(duì)介電常數(shù)為10的電解質(zhì),MLCC電容器擁有高相對(duì)介電常數(shù)材料(2000-3000)的優(yōu)勢(shì)。
這一差異很重要,因?yàn)?a href="http://09at.cn/tpdr.shtml">電容直接與介電常數(shù)相關(guān)。在電解質(zhì)的正端,設(shè)置板間隔的氧化鋁厚度小于陶瓷材料,從而帶來更高的電容密度。
?、儆捎陔娙萜鞯慕橘|(zhì)材料為陶瓷,所以耐熱性能良好,不容易老化。
?、诖山殡娙萜髂苣退釅A及鹽類的腐蝕,抗腐蝕性好。
③低頻陶瓷材料的介電常數(shù)大,因而低頻瓷介電容器的體積小、容量大。
?、芙^緣性能好,可制成高壓電容器。
?、莞哳l陶瓷材料的損耗角正切值與頻率的關(guān)系很小,因而在高頻電路可選用高頻瓷介電容器。
?、迌r(jià)格便宜,原材料豐富,適宜大批量生產(chǎn)。
?、叽山殡娙萜鞯碾娙萘枯^小,機(jī)械強(qiáng)度較低。
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