根據(jù)介質(zhì)材料劃分類(lèi)別的陶瓷電容器
陶瓷電容(CeramicCapacitor)
陶瓷電容是以陶瓷材料作為介質(zhì)材料,陶瓷材料有很多種,介電常數(shù)、穩(wěn)定性都有不同,適用于不同的場(chǎng)合。
陶瓷電容,主要有以下幾種:
瓷片電容(CeramicDiscCapacitor)
瓷片電容的主要優(yōu)點(diǎn)就是可以耐高壓,通常用作安規(guī)電容,可以耐250V交流電壓。
多層陶瓷電容(Multi-layerCeramicCapacitor)
多層陶瓷電容,也就是MLCC,片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量最大的電容類(lèi)型,其標(biāo)準(zhǔn)化封裝,尺寸小,適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。
由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化,形成一體化結(jié)構(gòu),所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容,也叫獨(dú)石(Monolithic)電容。
陶瓷介質(zhì)的分類(lèi)
陶瓷介質(zhì)主要分為四類(lèi):
ClassI:具有溫度補(bǔ)償特性的陶瓷介質(zhì),其介電常數(shù)大都較低,不超過(guò)200。通常都是順電性介質(zhì)(Paraelectric),溫度、頻率以及偏置電壓下,介電常數(shù)比較穩(wěn)定,變化較小。損耗也很低,耗散因數(shù)小于0.01。
性質(zhì)穩(wěn)定,應(yīng)用多的是C0G電容,也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的代號(hào),即NegativePositiveZero,也就是用N和P來(lái)表示正負(fù)偏差。
由于介電常數(shù)低,C0G電容的容值較小,最大可以做到0.1uF,0402封裝通常最大只有1000pF。
ClassII,III:其中,溫度特性A-S屬于ClassII,介電常數(shù)幾千左右。溫度特性T-V屬于ClassIII,介電常數(shù)最高可以到20000,可以看出ClassIII的性能更加不穩(wěn)定。根據(jù)IEC的分類(lèi),ClassII和III都屬于第二類(lèi),高介電常數(shù)介質(zhì)。像X5R和X7R都是ClassII電容,在電源去耦中應(yīng)用較多,而Y5V屬于ClassIII電容,性能不太穩(wěn)定。
由于ClassII和III電容的容值最高可以做到幾百u(mài)F,但由于高介電常數(shù)介質(zhì),大都是鐵電性介質(zhì)(Ferroelectric),溫度穩(wěn)定性差。此外,鐵電性介質(zhì),在直流偏置電壓下介電常數(shù)會(huì)下降。
ClassIV:制作工藝和通常的陶瓷材料不一樣,內(nèi)部陶瓷顆粒都是外面一層很薄的氧化層,而核心是導(dǎo)體。這種類(lèi)型的電容容量很大,但擊穿電壓很小。由于此類(lèi)電容的性能不穩(wěn)定,損耗高,現(xiàn)在在市面上很少見(jiàn)。
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