磁珠材料為FE-Mg或FE-Ni合金。這些材料具有很高的電阻率和滲透率。在高頻高阻抗下，電感線圈間的電容會減小。事實上，磁珠可以看作是一個電阻并聯(lián)電感。在低頻時，電阻被電感器“短路”，電流流向電感器；在高頻時，電感器的高電感迫使電流流向電阻器。對于電感器來說，其感應電抗與頻率成正比。例如，對于一個理想的10MH電感器，10kHz時的感應電抗為628Ω； 在100MHz時，它增加到6.2mΩ。在100MHz時，如果信號通過電感器，信號的質量就會降低。

磁珠材料為FE-Mg或FE-Ni合金。這些材料具有很高的電阻率和滲透率。在高頻高阻抗下，電感線圈間的電容會減小。磁珠通常只適用于高頻電路，因為在低頻時，磁珠基本上保留了電感的完整特性（包括電阻和無功分量），所以會對電路造成一些微小的損耗。但在高頻時，只有電抗分量（J）ω 50）電阻分量隨頻率的增加而增大。例如，一些射頻電路、鎖相環(huán)、振蕩電路，包括超高頻存儲器電路（DDR、SDRAM、Rambus等），需要在功率輸入部分添加磁珠。事實上，磁珠是射頻能量的高頻衰減器。事實上，磁珠可以看作是一個電阻并聯(lián)電感。在低頻時，電阻被電感器“短路”，電流流向電感器；在高頻時，電感器的高電感迫使電流流向電阻器。磁珠本質上是能將高頻能量轉化為熱能的“耗散裝置”。因此，就性能而言，只能解釋為電阻而不是電感，電感是儲能元件，主要用于電力濾波電路、LC振蕩電路、中低頻濾波電路等，其應用頻率范圍很少超過50MHz。對于電感器來說，其感應電抗與頻率成正比。這可以用公式來解釋：XL=2π FL，其中XL是感應電抗（單位為Ω）。 例如，對于一個理想的10MH電感器，10kHz時的感應電抗為628Ω； 在100MHz時，它增加到6.2mΩ。 因此，在100MHz時，電感器可視為開路。在100MHz時，如果信號通過電感器，信號的質量就會降低。