基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達(dá)109～1014Ω。但場(chǎng)效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩(wěn)定性好，容易解決散熱問(wèn)題，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于集成化生產(chǎn)，因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中，MOS管占主要地位。

　　1、普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱(chēng)為雙極型三極管；而在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故又稱(chēng)為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

　　2、三極管是電流控制器件，通過(guò)控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達(dá)109～1014Ω。高輸入電阻是場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)。

　　3、場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換（某些），耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù)，靈活性比三極管強(qiáng)。但要注意，分立的場(chǎng)效應(yīng)管，有時(shí)已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接，源極和漏極就不能互換使用了。

　　4、場(chǎng)效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開(kāi)關(guān)。但場(chǎng)效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩(wěn)定性好，容易解決散熱問(wèn)題，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于集成化生產(chǎn)，因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中，MOS管占主要地位。

　　5、MOS管具有很低的級(jí)間反饋電容，一般為5—10pF，而三極管的集電結(jié)電容一般為20pF左右。

　　6、場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。

　　7、由于MOS管的柵源極之間的絕緣層很薄，極間電容很小，而柵源極之間電阻又很大，帶電物體靠近柵極時(shí)，柵極上感應(yīng)少量電荷產(chǎn)生很高的電壓，就很難放掉，以至于柵源極之間的絕緣層擊穿，造成永久性損壞。因此管子存放時(shí)，應(yīng)使柵極與源極短接，避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時(shí)，電烙鐵外殼要良好接地。

　　8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化；JFET是利用PN結(jié)反向電壓對(duì)耗盡層厚度的控制，來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大??；MOSEFET是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

　　9、場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

　　10、三極管導(dǎo)通電阻大，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)在的用電器件上，一般都用場(chǎng)效應(yīng)管做開(kāi)關(guān)來(lái)用，他的效率是比較高的。

　　11、場(chǎng)效應(yīng)管G極必須有一個(gè)對(duì)地的放電電阻，不然上電就燒，而三極管基極不需要

　　12、場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。