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電容器
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瓷片電容電磁兼容設(shè)計(jì)的誤區(qū)分析

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2017-04-13 16:42:00

  瓷片電容電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下,個(gè)別問題(電壓跌落與瞬時(shí)中斷等)除外。


  高頻思維,總而言之,就是器件的特性、電路的特性,在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的。


  如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析,則會走入設(shè)計(jì)的誤區(qū)。比如:


  瓷片電容在中低頻或直流情況下,就是一個(gè)儲能組件,只表現(xiàn)為一個(gè)電容的特性,但在高頻情況下,它就不僅僅是個(gè)電容了。

 

新晨陽電容

 


  它有一個(gè)理想電容的特性,有漏電流(在高頻等效電路上表現(xiàn)為R),有引線電感,還在導(dǎo)致電壓脈沖波動(dòng)情況下發(fā)熱的ESR。


  瓷片電容能幫我們設(shè)計(jì)師得出很多有益的設(shè)計(jì)思路。第一,按照常規(guī)思路,1/2πfc是電容的容抗,應(yīng)該是頻率越高,容抗越小,濾波效果越好。


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