瓷介電容的結(jié)構(gòu)、特點和應(yīng)用
陶瓷介電電容器是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電,2種介電和3種介電陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點是:材料的介電系數(shù)高,容量大,體積小,損耗和絕緣性能較差。第|一類電容器主要用于高頻電路。
陶瓷介電電容器是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電,2種介電和3種介電陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點是:材料的介電系數(shù)高,容量大,體積小,損耗和絕緣性能較差。第|一類電容器主要用于高頻電路。
陶瓷介電電容器(CC)是以陶瓷材料為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆金屬(銀)膜,然后在高溫下燒結(jié)而成。陶瓷介電電容器分為一種介電(NPO,CCG),2種介電(X7R,2x1)和3種介電(Y5V,2F4)陶瓷介電電容器。第|一類陶瓷介電電容器具有低溫系數(shù)低、穩(wěn)定性好、損耗低、耐壓高等優(yōu)點。大容量不超過1000pF,常用的有CC1,CC2,CC18A,CC11,CCG等系列。第|二類和第三類陶瓷介電電容器的特點是:材料的介電系數(shù)高,容量大(可達0.47μF),體積小,損耗和絕緣性能較差。
第|一類電容器主要用于高頻電路。2、這三類電容器廣泛應(yīng)用于中低頻電路中,如隔離、耦合、旁路和濾波等。目前常用的系列有三種,如CT1、CT2、CT3等。
聚酯電容器(CL)是由具有正溫度系數(shù)(即隨著溫度升高,電容增|大)的極性聚酯薄膜制成的非極性電容器。耐高溫、耐高壓、耐潮濕、價|格低廉。一般用于中低頻電路。常用型號為CL11、CL21等系列。
聚苯乙烯電容器(CB)有兩種類型:箔型和金屬化型,箔絕緣電阻大,介損小,容量穩(wěn)定,精度高,但體積大,熱阻差,金屬化防潮穩(wěn)定性優(yōu)于箔型,擊穿后可自愈|合,但絕緣電阻低,高頻特性差,廣泛應(yīng)用于中高頻電路中。
常用的型號有CB10、CB11(未密封箔)、CB14~16(精度)、CB24、CB25(未密封金屬化)、CB80(高壓)、CB40(密封金屬化)等。
推薦產(chǎn)品
- 屏蔽功率電感
PRS系列屏蔽功率電感擁有超薄以及磁屏蔽結(jié)構(gòu)特征,適合表面貼裝,通常應(yīng)用在手機,掌上電腦,液晶顯示器,DC/DC轉(zhuǎn)換等地方.
- 超低阻值厚膜電阻
超低阻值厚膜電阻阻值范圍在10m ohm~1000m ohm,體積小,重量輕,適于作電流探測用,產(chǎn)品符合ROHS指令及無鹵素要求
- NTC熱敏電阻
NTC熱敏電阻是一種負溫度系數(shù)電阻器,其阻值隨環(huán)境溫度的升高而降低,這種熱敏電阻是由2種或4種金屬氧化物經(jīng)過成型并在高溫下燒制而得成。
- 貼片鋁電解電容器
風(fēng)華貼片型鋁電解電容,溫度在-40℃~+130℃之間,壽命為1000~8000小時,適合于自動表面貼裝技術(shù)和高密度電路
- 網(wǎng)絡(luò)電阻(排阻)
厚膜片式網(wǎng)絡(luò)電阻器體積小,重量輕,電能性穩(wěn)定,可靠性高,適應(yīng)再流焊并且裝配成本低,與自動貼裝設(shè)備匹配;產(chǎn)品全面符合RoHS指令及無鹵素要求。
- 濾波器ET35-YH100550
型號齊全可定制,采用鐵氧體磁心,雙線并繞。 低差模噪聲信號抑制干擾源,在高速信號中難以變形。 應(yīng)用:抑制電子設(shè)備 EMI 噪音。 DVC,STB 的 IEEE 1394 線路。 液晶顯示面板,低壓微分信號。 個人電腦及外圍設(shè)備的 USB線路。
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