從電參數(shù)來看，多層瓷介電容的失效模式主要有哪些
多層瓷介電容器的失效模式和失效機理眾多，按照電參數(shù)表現(xiàn)來看，失效模式可以分為三種：開路、短路和電參數(shù)漂移。
多層瓷介電容器最為常見的失效模式為電參數(shù)漂移，包括電容量的變化、損耗的變化和絕緣電阻的變化，三個參數(shù)中最為敏感的電參數(shù)為損耗值和絕緣電阻值，在實際工作中，只要是表現(xiàn)出了失效，其損耗值或絕緣電阻值都或多或少出現(xiàn)不同程度的漂移，因此考察損耗值和絕緣電阻值對于評判多層瓷介電容器的失效狀態(tài)具有重要意義。
多層瓷介電容器短路的失效模式較為常見，通常表現(xiàn)為兩個端電極間的電阻值明顯下降至歐姆或者毫歐姆的數(shù)量級，這種失效模式大多與最終的過電有關系。多層瓷介電容器出現(xiàn)開路的失效模式比較少見，主要有兩種情況，一種情況是經(jīng)歷了嚴重的過電后，致使內部電極間或者端電極與內電極間燒毀形成開路；另外一種情況是某種應力致使端電極與內電極間因為過應力出現(xiàn)裂紋、開裂，導致電極間電連接不良形成開路，此種失效多數(shù)和樣品本身的質量有關。
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