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薄膜電阻與厚膜電阻的差異

文章出處:作者:人氣:-發(fā)表時間:2022-07-07 10:36:00

 

薄膜電阻是通過真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜,通常只有0.1um厚,僅為厚膜電阻的千分之一,然后通過光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。因此,可以很好地控制薄膜電容器的性能。薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度,但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。此外,改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。TCR是一個不容忽視的小參數(shù)。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。

薄膜電阻是通過真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜,通常只有0.1um厚,僅為厚膜電阻的千分之一,然后通過光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。光刻工藝非常精確,可以形成復(fù)雜形狀。因此,可以很好地控制薄膜電容器的性能

薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度,但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此,可以通過使用不同的沉積層厚度來實現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫升的影響。膜電阻穩(wěn)定性的老化過程隨達到不同電阻值所需的膜厚度而變化,因此在整個電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外,改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化,高電阻薄膜的電阻衰減率非常高

TCR是一個不容忽視的小參數(shù)。其單位為ppm/℃(每℃溫度變化引起的電阻值變化為百萬分之幾)。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)??傠娮柚档淖兓c電阻的材料、實際功率和物理尺寸有關(guān)。厚膜電阻取決于玻璃基質(zhì)中顆粒之間的接觸以形成電阻。這些觸點構(gòu)成一個完整的電阻,但運行中的熱應(yīng)變會中斷觸點。在大多數(shù)情況下,厚膜電阻器不會并聯(lián)開路,但電阻值會隨著時間和溫度而繼續(xù)增加。因此,與其他電阻技術(shù)相比,厚膜電阻的穩(wěn)定性較差(時間、溫度和功率)。

 

摘自:http://www.sznse.com/Article/bmdzyhmdzdcy.html

 

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