薄膜電阻的介紹
文章出處：作者：人氣：-發(fā)表時間：2016-02-17 17:29:00
薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為 50至250的金屬沉積層組成 （采用真空或濺射工藝）。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經濟并節(jié)省空間。
它們具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因實現(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個電阻范圍內是可變的。這種化學/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會嚴重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。
由于金屬量少，薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質，產生的化學腐蝕會在低壓直流應用幾小時內造成薄膜電阻開路。改變最佳薄膜厚度會嚴重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。
此文關鍵字：薄膜電阻
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