在小型電腦、移動通信等設備日益輕、薄、短、小，高性能，多功能化的過程中，對小體積、大容量電容器的要求愈益迫切。固體電解電容器只能適用于直流場合，在交流的情況下，半導體陶瓷電容則具有其特殊的重要性。
 

雖然陶瓷電容器早在二戰(zhàn)期間已大量使用，但半導體陶瓷電容的生產與廣泛使用卻是近二三十年的事。它的生產過程和常規(guī)陶瓷電容器有很大的差別。要想生產出性能優(yōu)異的半導體陶瓷電容器必須關注其特殊情況。
 

目前國際流行的、已實用化的半導體陶瓷電容有表面型和晶界層型兩種，由于前者工藝性好、價廉故使用得更為廣泛。目前國內已有中、后工序的大批量生產。且正在研究從瓷粉料至成品的全工序國產化。所謂表面型半導體陶瓷電容器是指：瓷片本體已半導化，然后使其表面重新氧化而形成很薄的介質層，之后再在瓷片兩面燒滲電極而形成電容器。而晶界層型半導體陶瓷電容器則是：沿著半導體化的瓷體之晶粒邊界處形成絕緣層，再在瓷片兩面燒滲電極，因而形成多個串、并聯(lián)的電容器網。本文擬就表面型半導體陶瓷電容器加以敘述。

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