當(dāng)壓敏電阻兩側(cè)的瞬態(tài)電壓等于或大于額定值時，由于半導(dǎo)體材料的雪崩效應(yīng)，器件的電阻突然變得很小，使壓敏電阻成為導(dǎo)體。通過壓敏電阻的小泄漏電流迅速上升，但其兩側(cè)的電壓僅限于略高于壓敏電阻電壓的水平。

換句話說，壓敏電阻通過允許更多的電流流過來自我調(diào)節(jié)瞬態(tài)電壓，并且由于其陡峭的非線性IV曲線，它可以在一個狹窄的電壓范圍之內(nèi)通過廣泛變化的電流，從而切斷任何電壓尖峰。

由于壓敏電阻器兩端間的主要導(dǎo)電區(qū)域的行為類似于電介質(zhì)，低于其鉗位電壓的壓敏電阻器的行為更像電容器，而不是電阻器。每個半導(dǎo)體壓敏電阻的電容值直接取決于其面積，并與其厚度成反比。

在直流電路之中使用時，只要所施加的電壓不高于鉗位電壓水平，并在其最大額定連續(xù)直流電壓鄰近突然下降，壓敏電阻的電容就基本保持不變。

然而，在交流電路之中，該電容會影響器件在其IV特性的非導(dǎo)電泄漏區(qū)的體電阻。由于它們經(jīng)常與電氣設(shè)備并聯(lián)，以保護(hù)其免受過電壓的影響，因此壓敏電阻的泄漏電阻隨著頻率的增加而迅速下降。

這種關(guān)系與頻率近似呈線性關(guān)系，由此產(chǎn)生的并聯(lián)電阻，其交流電抗，Xc，可以使用通常的1/（2πC）計算，與普通電容器相同。然之后隨著頻率的增加，其漏電流也隨之增加。

然而，除了基于硅半導(dǎo)體的壓敏電阻器之外，還開發(fā)了金屬氧化物壓敏電阻器，以克服與碳化硅對應(yīng)物相關(guān)的一些限制。