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首頁電子器件常見問題 鉭電容器的材料與封裝規(guī)格

鉭電容器的材料與封裝規(guī)格

2023年02月24日08:30 

CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的增加相關(guān)。在電容器設(shè)計(jì)中使用這些材料是一個復(fù)雜的研究領(lǐng)域,需要大量的研發(fā)投資。減小鉭電容器設(shè)計(jì)尺寸的另一個重要因素是高效封裝技術(shù)的發(fā)展。行業(yè)中使用的常見封裝技術(shù)是引線框架設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)具有較高的制造效率,可以降低成本,提高生產(chǎn)能力。對于不受空間限制的應(yīng)用,這些設(shè)備仍然是一個可行的解決方案。VishayMAP結(jié)構(gòu)的另一個好處是減少了ESL。通過最小化電流回路,ESL可以顯著降低。



CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的增加相關(guān)。在電容器設(shè)計(jì)中使用這些材料是一個復(fù)雜的研究領(lǐng)域,需要大量的研發(fā)投資。減小鉭電容器設(shè)計(jì)尺寸的另一個重要因素是高效封裝技術(shù)的發(fā)展。行業(yè)中使用的常見封裝技術(shù)是引線框架設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)具有較高的制造效率,可以降低成本,提高生產(chǎn)能力。對于不受空間限制的應(yīng)用,這些設(shè)備仍然是一個可行的解決方案。VishayMAP結(jié)構(gòu)的另一個好處是減少了ESL。通過最小化電流回路,ESL可以顯著降低。

CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的增加相關(guān)。在電容器設(shè)計(jì)中使用這些材料是一個復(fù)雜的研究領(lǐng)域,需要大量的研發(fā)投資。減小鉭電容器設(shè)計(jì)尺寸的另一個重要因素是高效封裝技術(shù)的發(fā)展。行業(yè)中使用的常見封裝技術(shù)是引線框架設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)具有較高的制造效率,可以降低成本,提高生產(chǎn)能力。對于不受空間限制的應(yīng)用,這些設(shè)備仍然是一個可行的解決方案。

然而,在許多電子系統(tǒng)中,增加密度是一個主要的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),減小元件尺寸的能力是一個重要的優(yōu)勢。這方面,廠商在封裝技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步。與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比,無鉛框架設(shè)計(jì)提高了體積效率。通過減小提供外部連接所需的機(jī)械結(jié)構(gòu)的尺寸,這些設(shè)備可以利用額外的可用空間來增加電容元件的尺寸,從而增加電容和/或電壓。

在新一代封裝技術(shù)中,威世的專利多陣列封裝(MAP)結(jié)構(gòu)通過在封裝端部使用金屬化層來提供外部連接,進(jìn)一步提高了體積效率。這種結(jié)構(gòu)通過完全消除內(nèi)部陽極連接,使現(xiàn)有體積內(nèi)的電容元件的尺寸最大化。為了進(jìn)一步說明容積效率的提高,電容元件的體積增加了60%以上。該增加可用于優(yōu)化器件以增加電容和/或電壓、降低DCL和提高可靠性。

VishayMAP結(jié)構(gòu)的另一個好處是減少了ESL。MAP結(jié)構(gòu)通過消除回路封裝的機(jī)械引線框架,可以顯著減小現(xiàn)有電流環(huán)的尺寸。通過最小化電流回路,ESL可以顯著降低。與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比,ESL的降低可高達(dá)30(%)。ESL的減少對應(yīng)于自諧振頻率的增加,這可以擴(kuò)大電容器的工作頻率范圍。

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