陶瓷電容不僅可以耐高溫、耐腐蝕，而且有較高的介電常數(shù)，這對當(dāng)前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。
電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能，材料介電常數(shù)越大，抗電強(qiáng)度越高，則小型化程度越好。
因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。
玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。
晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題，因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。
結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗要降低陶瓷電容的介質(zhì)損耗。
主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子，目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。
