国产一级a毛一级a看免费视频,午夜福利视频www,无码性爱网站,国产毛片一区二区久久

<b id="vzb2k"><s id="vzb2k"></s></b>

<b id="vzb2k"></b><b id="vzb2k"></b>

<b id="vzb2k"></b>

<u id="vzb2k"><s id="vzb2k"></s></u>

<tt id="vzb2k"></tt>
歡迎光臨 新晨陽 官網(wǎng)!

新晨陽連續(xù)十五年
為廠家提供電子原器件配套服務(wù)
0755-28682867-802

首頁行業(yè)動態(tài) 陶瓷電容的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗

陶瓷電容的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗

2019年05月29日17:58 

陶瓷電容不僅可以耐高溫、耐腐蝕,而且有較高的介電常數(shù),這對當(dāng)前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。


電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能,材料介電常數(shù)越大,抗電強(qiáng)度越高,則小型化程度越好。


因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。


玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。

陶瓷電容


晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題,因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。


結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗要降低陶瓷電容的介質(zhì)損耗。


主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子,目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。

網(wǎng)友熱評