片式電容器的絕緣電阻取決于介質(zhì)材料配方、工藝過程(燒結(jié))和測量時的溫度。所有介質(zhì)的絕緣電阻都會隨溫度的提高而下降，在低溫(-55℃)到高溫(125℃)的MIL溫度特性范圍內(nèi)可以觀察到一個非常大的下降過程。

測量電容器絕緣電阻的時候需要重點考慮的是絕緣電阻與電容量的關(guān)系。

電容量值與絕緣電阻成反比，即電容量越高，絕緣電阻越低。這是因為電容量與漏電流大小是相互成正比的，可以用歐姆定律和比體積電容關(guān)系加以說明。

考慮到陶瓷電容器中通過絕緣體的漏電流(i)也可用上述關(guān)系式表示：I=VA’/ρt，這里V=測試電壓A’=有效電極面積ρ=介質(zhì)電阻率t=介質(zhì)層厚度

從上面關(guān)系式可以看到，對于給定的測試電壓，漏電流大小正比于電容器有效電極面積，反比于介質(zhì)層厚度(和電阻率)，即：i∝A’/t

絕緣電阻是測試電壓的函數(shù)，漏電流正比于外加電壓：i=VA’/ρt或IR=ρt/VA’

對于任意給定的電容器，絕緣電阻很大程度上依賴于介質(zhì)材料本征的電阻率(ρ)，也依賴于材料配方和測量時的溫度。

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