薄膜電容的電介質(zhì)一旦被擊穿，不可避免的將是引起短路，從而電容器失效。
為了避免電介質(zhì)的薄弱點(diǎn)被擊穿，電介質(zhì)的選擇，總是比理論上具體擊穿強(qiáng)度的材料所需值要的厚。
因?yàn)橛休^高比例的薄弱點(diǎn)，因此小于4μm的是不允許使用的。
因有選用較厚電介質(zhì)的必要性，在尺寸和所使用材料上有著不利的影響。
為了使較厚的電介質(zhì)達(dá)到特定的容量，故必須等量的增加薄膜長度，較厚的電介質(zhì)，芯子也就有形成了較為正方的體積。
薄膜電容的一個較薄的點(diǎn)的出現(xiàn)就會使上下表面擊穿，電介質(zhì)必須要足夠厚，才能抵擋擊穿強(qiáng)度。
