高頻低阻電解電容形成于陽極內(nèi)側(cè)表面極薄的一層氧化鋁在電解電容中扮演電介質(zhì)的角色。它具有優(yōu)越的介電常數(shù) e 及單向特性( rectifying properties )當(dāng)與電解液接觸后,這層氧化膜就具有優(yōu)良的單方向絕緣特性( forward direction insulation property )。電介質(zhì)這一特性決定了一般電解電容的單向極性應(yīng)用。如果陰 / 陽都有此般同樣的氧化薄膜,那么其就成為無極性行電解電容。在工藝上,這一層是在一片高純度的蝕刻鋁箔上進(jìn)行極化處理而得。陽極箔片進(jìn)行極性化的這一過程需要施加一定的 DC 電壓進(jìn)行,這一電壓被稱為“化成電壓”( Forming Voltage” )。這個(gè)電介質(zhì)層的厚度近乎正比于極化過程所施加的“化成電壓”,大約有 0.0013~0.0015 (mm)/ V 的關(guān)系。氧化鋁形成的化學(xué)表達(dá)式: 2Al+3H2O à Al2O3+3H2 (Gas) +3e- (Electron) 。電介質(zhì)層同時(shí)構(gòu)成了一個(gè)依電壓變化而變化的電阻,經(jīng)過此電阻的電流即所謂的漏電流。當(dāng)電壓到達(dá)“化成電壓”后,漏電流急劇上升以至損壞電容器。此具有單向特性電介質(zhì)無法承受反向的電壓 ( 大于 1.5V dc) ,很小的反向電壓就會(huì)形成很大的反向電流以損壞電容器。