電容的電介質(zhì)與介質(zhì)常數(shù)有關(guān)系嗎？
介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)(permittivity）又稱誘電率，與頻率相關(guān)。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，電場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時相對介電常數(shù)為10的電解質(zhì)，MLCC電容器擁有高相對介電常數(shù)材料的優(yōu)勢。
介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)(permittivity）又稱誘電率，與頻率相關(guān)。介電常數(shù)是相對介電常數(shù)與真空中絕對介電常數(shù)乘積。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，電場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。理想導(dǎo)體的相對介電常數(shù)為無窮大。
根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小。通常，相對介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì)；相對介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì)；相對介電常數(shù)小于2.8為非極性物質(zhì)。
相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時相對介電常數(shù)為10的電解質(zhì)，MLC電容器擁有高相對介電常數(shù)材料(2000-3000)的優(yōu)勢。
這一差異很重要，因為電容直接與介電常數(shù)相關(guān)。在電解質(zhì)的正端，設(shè)置板間隔的氧化鋁厚度小于陶瓷材料，從而帶來更高的電容密度。
高頻瓷介電容器適用于高頻電多層陶瓷電容器多層陶瓷電容器常見小缺陷的規(guī)避方法因其小尺寸。
低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低成本、高可靠性和高紋波電流能力。
多層陶瓷(MLC)電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。
一般而言，它們用在電解質(zhì)電容器中，以增強系統(tǒng)性能。
