由于電容器結構的不同，存在很大的差異。鋁電解的ESR值一般在幾百到幾十毫歐姆之間，鉭電容器介于鋁電解和陶瓷片電容器之間。與電容有關的參數很多，但在設計中重要的參數是C和ESR。我們經常使用三種電容器：鋁電解、陶瓷和鉭電容器。因此，鋁電解不宜離熱源太近。而性能差的是z5u/Y5V材料，介電常數大，電容值可達幾十微米。然而，這種材料受溫度和直流偏壓的嚴重影響。
由于電容器結構的不同，存在很大的差異。鋁電解的ESR值一般在幾百到幾十毫歐姆之間，鉭電容器介于鋁電解和陶瓷片電容器之間。與電容有關的參數很多，但在設計中重要的參數是C和ESR。
我們經常使用三種電容器：鋁電解、陶瓷和鉭電容器。鋁電容器是由鋁箔槽氧化后，再繞絕緣層，再浸入電解液中制成。它的原理是化學原理，充放電依賴于化學反應。電容對信號的響應速度受電解液中帶電離子運動速度的限 制，在低頻（1m）電渣重熔中通常采用鋁電阻和電解液等效電阻之和，且數值較大。鋁電容器的電解液會逐漸揮發(fā)，導致容量下降甚至失效，蒸發(fā)速度隨著溫度的升高而加 快。溫度每升高10度，壽命就會減半。如果電容器在27℃室溫下使用10000小時，在57℃下只能使用1250小時。因此，鋁電解不宜離熱源太近。
陶瓷電容器是通過物理反應來儲存電能的，因此具有很高的響應速度，可以應用于G的場合，但是由于介質的不同，陶瓷電容器也表現出很大的差異。性能好的是c0g材料的電容，溫度系數小，但材料的介電常數小，所以電容值不能太大。而性能差的是z5u/Y5V材料，介電常數大，電容值可達幾十微米。然而，這種材料受溫度和直流偏壓的嚴重影響（直流電壓會引起材料的極化，降低電容）。
