薄膜電阻是通過真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜，通常只有0.1um厚，僅為厚膜電阻的千分之一，然后通過光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能。薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。此外，改變最佳膜厚將嚴重影響TCR。TCR是一個不容忽視的小參數(shù)。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內。
薄膜電阻是通過真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜，通常只有0.1um厚，僅為厚膜電阻的千分之一，然后通過光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。光刻工藝非常精確，可以形成復雜形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能
薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，可以通過使用不同的沉積層厚度來實現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫升的影響。膜電阻穩(wěn)定性的老化過程隨達到不同電阻值所需的膜厚度而變化，因此在整個電阻范圍內是可變的。這種化學/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚將嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，高電阻薄膜的電阻衰減率非常高
TCR是一個不容忽視的小參數(shù)。其單位為ppm/℃（每℃溫度變化引起的電阻值變化為百萬分之幾）。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內。總電阻值的變化與電阻的材料、實際功率和物理尺寸有關。厚膜電阻取決于玻璃基質中顆粒之間的接觸以形成電阻。這些觸點構成一個完整的電阻，但運行中的熱應變會中斷觸點。在大多數(shù)情況下，厚膜電阻器不會并聯(lián)開路，但電阻值會隨著時間和溫度而繼續(xù)增加。因此，與其他電阻技術相比，厚膜電阻的穩(wěn)定性較差（時間、溫度和功率）。
